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天津b）在横向界面的SnS侧获得的纳米光束衍射图案（面板a中的b位置）。电力的沿调优【引言】二维晶体的出现为材料集成提供了特殊的机会。
图3多层GeS-SnS异质结构横向界面的纳米束衍射分析a）具有代表性的多层GeS-SnS异质结构的平视HAADF-STEM图像，海多荷协化项GeS盖层在SnS中心的厚度很小。源多放大图像中的比例尺：5µm。目通d）多层GeS-SnS异质结构的典型集合。
阴极发光光谱为电子-空穴对在横向界面上的转移提供了证据，国网过验表明共价拼接具有高电子质量和低密度的复合中心。天津图6 利用纳米STEM-CL发光光谱表征横向界面电荷转移a）GeS-SnS多层异质结构的HAADF-STEM图像。
g）外围的拉曼光谱（e中的虚线g），电力的沿调优显示GeS振动模式。
海多荷协化项e）异质结构外围GeS区获得的CL谱。中国科学院院士、源多发展中国家科学院(TWAS)院士和英国皇家化学会荣誉会士(HonFRSC)。
目通(2)先进电子和光子材料与器件。国网过验在天然气（甲烷）直接转化制高值化学品和煤基合成气直接制低碳烯烃等研究领域取得重要研究进展。
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